Už mnoho let se mluví o nástupu extrémní ultrafialové litografie (EUV), která by se měla poprvé objevit v procesech pod 10 nm. Není to ale až tak jisté, neboť se objevil konkurent v podobě directed self-assembly.
Diskuze k článku: Directed Self-Assembly: náhrada za EUV pro < 10nm procesy?
29.3.2017, Jan Vítek, aktualita
"své vrstvy uspořádal vertikálně a ne horizontálně, čili ne na sebe, ale vedle sebe"
Asi mame kazdej jinou predstavu o tom co je vertikalne a co horizontalne...
Asi mame kazdej jinou predstavu o tom co je vertikalne a co horizontalne...
Odpovědět2 1
Představte si třeba oplatku položenou na hranu. V ní jsou taky vrstvy orientovány vertikálně, co se týče jejich roviny.
Odpovědět0 2
Ale určitě tomu něco braní tipoval bych to na něco co vychází z podstaty věci
Odpovědět0 0
Nestálo by za pokus přejít o stupínek dále a nasadit až záření x, čili rentgen? Teoreticky se s ním dá jít mnohem dále než s UV, fotocitlivé materiály na něj reagují (vždyť tak bylo vůbec objeveno) a navíc se rentgenové výbojky běžně vyrábí, používají, víme jak se chovají atd.
Odpovědět0 0
Problém je s fotorezistem a s maskou, přes kterou se promítá. RTG je již ionizující s moc krátkou vln. délkou.
Odpovědět0 1
Zajímá Vás tato diskuze? Začněte ji sledovat a když přibude nový komentář, pošleme Vám e-mail.
Nový komentář k článku
Pro přidání komentáře se přihlaste (vpravo nahoře). Pokud nemáte profil, zaregistrujte se pro využívání dalších funkcí.
reklama
reklama
Z dalších serverů
